Preprečevanje ponaredkov in napak
Vizualni in embalažni nadzor
Preverjanje električne zmogljivosti
Servisni elektronski naslov:
[email protected]
>
IPP041N12N3GXKSA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
200457 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Zahtevaj ponudbo
(Pošilja jutri)
*Količina
Minimun 1
Minimun 1
5.0 / 5.0
- (94 Ocene)
IPP041N12N3GXKSA1
Pregled izdelka
12803539
DiGi Electronics Številka dela
IPP041N12N3GXKSA1-DGProizvajalec
Infineon Technologies
IPP041N12N3GXKSA1
Opis
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3Zaloga
200457 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Količina
Minimun 1
Minimun 1
Nakup in povpraševanje
Garancija & Vrnitve
Kako naročiti
Dostava in Pošiljanje
Zagotavljanje kakovosti
365 - Garancija kakovosti na dan - Vsak del je popolnoma zavarovan.
90-dnevno vračilo ali zamenjava - Napake na delih? Brez skrbi.
Omejena razpoložljivost, naroči zdaj - Dobite zanesljive dele brez skrbi.
Globalna dostava in varno pakiranje
Omgrodna dostava v 3-5 poslovnih dneh
100% ESD antistatično embalažo
Sledenje v realnem času za vsako naročilo
Zagotavljamo varno in prilagodljivo plačilo
Kreditna kartica, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Tovorni prevod (T/T) in več
Vsa plačila so šifrirana zaradi varnosti
IPP041N12N3GXKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
Tranzistorji, FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Pakiranje
Tube
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
120 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
120A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4.1mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 270µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
211 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
13800 pF @ 60 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
300W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO220-3
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
IPP041
Tehnični list in dokumenti
Tehnični listi
Prenesi IPP041N12N3GXKSA1 Specifikacija izdelka (PDF)
Podatkovni listi
IPx041N12N3 G, IPB038N12N3 G
HTML tehnični list
IPP041N12N3GXKSA1-DG
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Dodatne informacije
Druga imena
SP000652746
IPP041N12N3 G
IPP041N12N3 G-DG
IPP041N12N3GXKSA1-DG
448-IPP041N12N3GXKSA1
IPP041N12N3G
Standardni paket
50
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
쇼핑 경험이 정말 뛰어나고, 제품의 내구성도 좋아서 추천합니다.
Dec 02, 2025
Die Betreuung nach dem Kauf bei DiGi Electronics war vorbildlich. Bei einem Problem wurde mir umgehend eine Lösung angeboten.
Dec 02, 2025
信頼できるサポートで、製品の長寿命化に役立っています。
Dec 02, 2025
Their affordable prices make it easy to get dependable electronics without breaking the bank.
Dec 02, 2025
Order tracking is seamless, providing real-time updates on delivery status.
Dec 02, 2025
The entire delivery process, from packaging to logistics updates, was top-tier.
Dec 02, 2025
Their packaging materials seem to be specially chosen to withstand rough handling, safeguarding my goods.
Dec 02, 2025
The navigation experience is fluid, making shopping stress-free.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Pogosto zastavljena vprašanja (FAQ)
Kakšne so glavne značilnosti MOSFET-a Infineon OptiMOS™ N-Channel (IPP041N12N3GXKSA1)?
Ta MOSFET podpira napetost od 120 V med odvodom in virom ter stalni tok od 120 A pri 25 °C, s nizkim Rds On 4,1 mΩ, zaradi česar je primeren za aplikacije za visokonapetostno stikalo. Oblikovan je v paketju TO-220-3 za enostavno namestitev in zanesljivo delovanje.
Za katere aplikacije je ta MOSFET z 120 V in 120 A primeren?
Ta MOSFET je idealen za napajalnike, elektromotorne pogone in visokotokovne stikala, kjer je učinkovito upravljanje moči in thermalne zmogljivosti ključno. Njegova robustna zasnova zagotavlja vzdržljivost v zahtevnih elektronskih sistemih.
Ali je ta N-Channel MOSFET združljiv z obstoječimi elektronskimi zasnovami?
Da, IPP041N12N3GXKSA1 je združljiv z običajnimi napetostmi upravljanja vrat, imel pa ima prag vrata 4 V, kar omogoča uporabo v različnih zasnah za stikalne napajalnike in vgrajene sisteme.
Kakšne so prednosti izbire MOSFET-ov iz serije OptiMOS™ podjetja Infineon?
MOSFET-i OptiMOS™ so znani po nizkem Rds On, visoki učinkovitosti in odlični thermalni zmogljivosti, kar pripomore k zmanjšanju porabe energije in izboljšanju zanesljivosti sistema.
Kakšna garancija in podpora sta na voljo za ta MOSFET izdelek?
Kot aktiven izdelek, skladnejši z RoHS3, ima MOSFET podporo proizvajalca in garancijo kakovosti. Dobavljeno je neposredno iz zaloge, kar omogoča hitro dobavo za vaše projekte.
Zagotavljanje kakovosti (QC)
DiGi zagotavlja kakovost in pristnost vsake elektronske sestavine s profesionalnimi pregledi in vzorčenjem serij, kar zagotavlja zanesljiv vir, stabilno delovanje in skladnost s tehničnimi specifikacijami ter pomaga strankam zmanjšati tveganje v verigi dobave in samozavestno uporabljati sestavine v proizvodnji.
IPP041N12N3GXKSA1 CAD Models
Infineon Technologies IPP041N12N3GXKSA1 PCB symbols & footprints
productDetail
