Preprečevanje ponaredkov in napak
Vizualni in embalažni nadzor
Preverjanje električne zmogljivosti
Servisni elektronski naslov:
[email protected]
>
NVHL080N120SC1A
onsemi
SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3
1000400 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
N-Channel 1200 V 31A (Tc) 178W (Tc) Through Hole TO-247-3
Zahtevaj ponudbo
(Pošilja jutri)
*Količina
Minimun 1
Minimun 1
5.0 / 5.0
- (293 Ocene)
NVHL080N120SC1A
Pregled izdelka
12938801
DiGi Electronics Številka dela
NVHL080N120SC1A-DGProizvajalec
onsemi
NVHL080N120SC1A
Opis
SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3Zaloga
1000400 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
N-Channel 1200 V 31A (Tc) 178W (Tc) Through Hole TO-247-3
Količina
Minimun 1
Minimun 1
Nakup in povpraševanje
Garancija & Vrnitve
Kako naročiti
Dostava in Pošiljanje
Zagotavljanje kakovosti
365 - Garancija kakovosti na dan - Vsak del je popolnoma zavarovan.
90-dnevno vračilo ali zamenjava - Napake na delih? Brez skrbi.
Omejena razpoložljivost, naroči zdaj - Dobite zanesljive dele brez skrbi.
Globalna dostava in varno pakiranje
Omgrodna dostava v 3-5 poslovnih dneh
100% ESD antistatično embalažo
Sledenje v realnem času za vsako naročilo
Zagotavljamo varno in prilagodljivo plačilo
Kreditna kartica, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Tovorni prevod (T/T) in več
Vsa plačila so šifrirana zaradi varnosti
NVHL080N120SC1A Tehnične specifikacije
Kategorija
Tranzistorji, FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
SiCFET (Silicon Carbide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
1200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
31A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
20V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
110mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (maks) @ id
4.3V @ 5mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
56 nC @ 20 V
Vgs (maks)
+25, -15V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1670 pF @ 800 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
178W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247-3
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
NVHL080
Tehnični list in dokumenti
Tehnični listi
Prenesi NVHL080N120SC1A Specifikacija izdelka (PDF)
Podatkovni listi
NVHL080N120SC1A
HTML tehnični list
NVHL080N120SC1A-DG
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Dodatne informacije
Druga imena
488-NVHL080N120SC1A
2156-NVHL080N120SC1A
Standardni paket
30
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
친절한 고객 지원과 빠른 문제 해결이 돋보입니다.
Dec 02, 2025
J’adore faire mes achats chez DiGi Electronics, où tout est à la fois économique et respectueux de l’environnement.
Dec 02, 2025
Leur offre variée est un vrai atout, elle permet d’accéder à des solutions technologiques de pointe facilement.
Dec 02, 2025
L'expédition a été rapide et l'emballage très solide. Excellent service à recommander.
Dec 02, 2025
The prices are friendly on the pocketbook, and the staff is always courteous and helpful.
Dec 02, 2025
The company's commitment to inventory accuracy is impressive.
Dec 02, 2025
Their pricing advantage is one of the best in the industry, enabling us to operate efficiently.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Pogosto zastavljena vprašanja (FAQ)
Kakšne so glavne značilnosti in specifikacije MOSFET-a onsemi NVHL080N120SC1A?
NVHL080N120SC1A je N-kanalni silikonski karbid (SiC) MOSFET s napetostno oceno 1200 V in stalnim tokovnim obremenitvijo 31 A pri 25°C, zasnovan za visokopower aplikacije. Ponaša se z nizkim Rds On od 110 mΩ pri 20 A/20 V in je primeren za delovne temperature od -55°C do 175°C ter je v skladu z avtodomenskimi standardi.
Za katere uporabe je ta SiC MOSFET primeren?
Ta SiC MOSFET je idealen za visokonapetostne pretvornike moči, industrijske pogone in avtomobilske energijske sisteme zaradi svoje visoke napetostne zmogljivosti, učinkovitosti in toplotne zmogljivosti. Zaradi robustne konstrukcije je primeren za zahtevne visoke temperature in velike tokovne obremenitve.
Ali je NVHL080N120SC1A združljiv s standardnimi načinmi montaže z luknjami?
Da, ta MOSFET ima paket TO-247-3, zasnovan za montažo z luknjami, kar omogoča njegovo uporabo v standardnih postopkih sestave v elektronski opremi in industrijskih napravah.
Kakšne so prednosti uporabe tehnologije silikonskega karbida (SiC) v tem MOSFET-u?
Tehnologija silikonskega karbida omogoča višjo učinkovitost, hitrejše preklapljanje in boljšo toplotno zmogljivost v primerjavi s tradicionalnimi silikonskimi MOSFET-i, kar pripomore k zmanjšanju izgub moči in izboljšanju zanesljivosti sistema pri visokonapetostnih aplikacijah.
Kakšna je garancija ali podpora za ta MOSFET izdelek?
Ta izdelek je nov, originalni onsemi izdelek z aktivnim statusom in zalogo. Proizvajalci običajno nudijo tehnično podporo in garancijske pogoje; za natančne informacije o poprodajni podpori in garanciji se obrnite na dobavitelja.
Zagotavljanje kakovosti (QC)
DiGi zagotavlja kakovost in pristnost vsake elektronske sestavine s profesionalnimi pregledi in vzorčenjem serij, kar zagotavlja zanesljiv vir, stabilno delovanje in skladnost s tehničnimi specifikacijami ter pomaga strankam zmanjšati tveganje v verigi dobave in samozavestno uporabljati sestavine v proizvodnji.
NVHL080N120SC1A CAD Models
onsemi NVHL080N120SC1A PCB symbols & footprints
productDetail
