Preprečevanje ponaredkov in napak
Vizualni in embalažni nadzor
Preverjanje električne zmogljivosti
Servisni elektronski naslov:
[email protected]
>
SISS64DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8S
3508 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
N-Channel 30 V 40A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Zahtevaj ponudbo
(Pošilja jutri)
*Količina
Minimun 1
Minimun 1
5.0 / 5.0
- (292 Ocene)
SISS64DN-T1-GE3
Pregled izdelka
12785959
DiGi Electronics Številka dela
SISS64DN-T1-GE3-DGProizvajalec
Vishay Siliconix
SISS64DN-T1-GE3
Opis
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8SZaloga
3508 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
N-Channel 30 V 40A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Količina
Minimun 1
Minimun 1
Nakup in povpraševanje
Garancija & Vrnitve
Kako naročiti
Dostava in Pošiljanje
Zagotavljanje kakovosti
365 - Garancija kakovosti na dan - Vsak del je popolnoma zavarovan.
90-dnevno vračilo ali zamenjava - Napake na delih? Brez skrbi.
Omejena razpoložljivost, naroči zdaj - Dobite zanesljive dele brez skrbi.
Globalna dostava in varno pakiranje
Omgrodna dostava v 3-5 poslovnih dneh
100% ESD antistatično embalažo
Sledenje v realnem času za vsako naročilo
Zagotavljamo varno in prilagodljivo plačilo
Kreditna kartica, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Tovorni prevod (T/T) in več
Vsa plačila so šifrirana zaradi varnosti
SISS64DN-T1-GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
Tranzistorji, FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Pakiranje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serije
TrenchFET® Gen IV
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
40A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.1mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (maks)
+20V, -16V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3420 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
57W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PowerPAK® 1212-8S
Paket / Primer
PowerPAK® 1212-8S
Osnovna številka izdelka
SISS64
Tehnični list in dokumenti
Tehnični listi
Prenesi SISS64DN-T1-GE3 Specifikacija izdelka (PDF)
HTML tehnični list
SISS64DN-T1-GE3-DG
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Dodatne informacije
Druga imena
SISS64DN-T1-GE3CT
SISS64DN-T1-GE3TR
SISS64DN-T1-GE3DKR
Standardni paket
3,000
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
빠른 배송과 세심한 고객 응대 덕분에 쇼핑이 즐거웠어요.
Dec 02, 2025
다양한 제품 구성이 제 니즈를 충족시켜줍니다.
Dec 02, 2025
這次購物體驗非常愉快，產品品質給我留下深刻印象。
Dec 02, 2025
Une société qui privilégie la qualité tout en maintenant des prix raisonnables.
Dec 02, 2025
Their pricing is very accessible, and their focus on eco packaging makes me happy to support them.
Dec 02, 2025
Post-purchase support is thorough; they follow up to ensure customer satisfaction.
Dec 02, 2025
The shipping was incredibly efficient, I received my order within the shortest delivery window.
Objavi oceno
Sporočilo o ocenjevanju
Please enter your review message.
Prosim, objavite iskrene komentarje in ne objavljajte nezakonitih komentarjev.
Pogosto zastavljena vprašanja (FAQ)
Kakšne so ključne značilnosti MOSFET-a Vishay SISS64DN-T1-GE3 N-kanal?
Vishay SISS64DN-T1-GE3 je površinski montirani PowerPAK® 1212-8S MOSFET, zasnovan za visoko učinkovitost, z napetostnim razponom 30V in stalnim tokovnim vijakom 40A, primeren za aplikacije za upravljanje močjo.
Je MOSFET Vishay SISS64DN-T1-GE3 združljiv z običajnimi elektronskimi komponentami?
Da, ta MOSFET je združljiv z običajnimi napetostmi gonjenja 10V in 4,5V ter ima površinsko-montirano ohišje PowerPAK®, kar ga naredi primernega za različne načrte tiskanih jeder in močovne module.
Kakšne so prednosti uporabe ohišja PowerPAK® 1212-8S za ta MOSFET?
Ohišje PowerPAK® 1212-8S nudi odlično termično zmogljivost, kompakten zaslon in zanesljivo površinsko montažo, kar pomaga izboljšati celotno učinkovitost naprave in poenostavi sestavo.
Ali MOSFET Vishay SISS64DN-T1-GE3 lahko deluje pri visokih temperaturah?
Da, ta MOSFET lahko deluje v razponu temperature od -55°C do 150°C (TJ), kar zagotavlja zanesljivo delovanje tudi v zahtevnih termičnih okoljih.
Katera podpora in skladnostni standardi veljajo za ta MOSFET?
Vishay SISS64DN-T1-GE3 je skladno s RoHS3, ima nivo občutljivosti na vlago 1 (neomejeno) in upošteva ustrezne izvozne predpise, s čimer zagotavlja okoljsko varnost in široko uporabnost.
Zagotavljanje kakovosti (QC)
DiGi zagotavlja kakovost in pristnost vsake elektronske sestavine s profesionalnimi pregledi in vzorčenjem serij, kar zagotavlja zanesljiv vir, stabilno delovanje in skladnost s tehničnimi specifikacijami ter pomaga strankam zmanjšati tveganje v verigi dobave in samozavestno uporabljati sestavine v proizvodnji.
SISS64DN-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SISS64DN-T1-GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
