SISS64DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
4.9 / 5.0 - (269 Ocene)

SISS64DN-T1-GE3

Pregled izdelka

12785959

DiGi Electronics Številka dela

SISS64DN-T1-GE3-DG

Proizvajalec

Vishay Siliconix
SISS64DN-T1-GE3

Opis

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8S

Zaloga

5000 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
N-Channel 30 V 40A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Enojni FET-i, MOSFET-i
SISS64DN-T1-GE3 Tehnični list
Količina
Minimun 1

Nakup in povpraševanje

Povpraševanje po ponudbah

Vašo povpraševanje RFQ lahko oddate neposredno na strani podrobnosti izdelka ali na strani RFQ. Naša prodajna ekipa vam bo odgovorila v 24 urah.

Način plačila

Nudimo več priročnih načinov plačila, vključno s PayPalom (priporočamo za nove stranke), kreditnimi karticami in mednarodnimi bančnimi nakazili (T/T) v USD, EUR, HKD in drugih valutah.

POMEMBNO OBVESTILO

Ko pošljete povpraševanje (RFQ), boste v svojem poštnem predalu prejeli e-pošto o naši prejetju vašega povpraševanja. Če je ne prejmete, je naša e-poštna adresa morda označena kot neželena pošta. Preverite svojo mapo neželene pošte in dodajte našo e-poštno adresi [email protected] na svoj seznam varnih pošiljateljev, da zagotovite, da prejmete naše ponudbe. Zaradi možnosti nihanj v zalogi in cenah, naša prodajna ekipa potrebuje ponovno potrditev vašega povpraševanja ali naročila ter vam pravočasno pošilja morebitne posodobitve po e-pošti. Če imate kakršnakoli dodatna vprašanja ali potrebujete dodatno pomoč, nas prosim obvestite.

Na voljo (Vse cene so v USD)
  • KOL Ciljna cena Skupna cena
  • 3000 0.52 1548.52
  • 6000 0.49 2949.55
  • 9000 0.46 4175.21
Boljša cena z online povpraševanjem (RFQ)
Zahtevaj ponudbo(Pošilja jutri)
Količina
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

SISS64DN-T1-GE3 Tehnične specifikacije

Kategorija FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i

Proizvajalec Vishay

Pakiranje Tape & Reel (TR)

Serije TrenchFET® Gen IV

Stanje izdelka Active

Vrsta FET N-Channel

Tehnologija MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do napetosti vira (vdss) 30 V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C 40A (Tc)

Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno) 4.5V, 10V

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs 2.1mOhm @ 10A, 10V

vgs(th) (maks) @ id 2.2V @ 250µA

Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs 68 nC @ 10 V

Vgs (maks) +20V, -16V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds 3420 pF @ 15 V

Funkcija FET -

Odvajanje moči (maks.) 57W (Tc)

Delovna temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)

Vrsta montaže Surface Mount

Paket naprav dobavitelja PowerPAK® 1212-8S

Paket / Primer PowerPAK® 1212-8S

Osnovna številka izdelka SISS64

Tehnični list in dokumenti

Tehnični listi

Prenesi SISS64DN-T1-GE3 Specifikacija izdelka (PDF)
HTML tehnični list

SISS64DN-T1-GE3-DG
Podatkovni listi

SISS64DN

SISS64DN

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Dodatne informacije

Druga imena
SISS64DN-T1-GE3CT
SISS64DN-T1-GE3TR
SISS64DN-T1-GE3DKR
Standardni paket
3,000
DIGI Certifikat
ISO 209001_2015
ISO 209001_2015
ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
DUNS REGISTERED
Companines Registry
Companines Registry
ASA Certificate
ASA Certificate
UKAS
UKAS
ESD Certificate
ESD Certificate
Sorodni izdelki
Blogi in objave
Najnovejši napredek v tehnologiji integriranih vezij: analiza petih najsodobnejših tehnologij
Jan 18 2025
Napredek v tehnologiji induktorjev: inovativne aplikacije LTCC in visokofrekvenčnih resonančnih pretvornikov
Jan 18 2025
Zaščita tokokrogov: ključne tehnologije za zagotavljanje varnosti industrijskih in avtomobilskih elektronskih sistemov
Jan 18 2025