Preprečevanje ponaredkov in napak
Vizualni in embalažni nadzor
Preverjanje električne zmogljivosti
Ocena življenja in zanesljivosti
Servisni elektronski naslov:
[email protected]
>
SQJ158EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 23A PPAK SO-8
680300 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
N-Channel 60 V 23A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Zahtevaj ponudbo
(Pošilja jutri)
*Količina
Minimun 1
Minimun 1
5.0 / 5.0
- (87 Ocene)
SQJ158EP-T1_GE3
Pregled izdelka
12786047
DiGi Electronics Številka dela
SQJ158EP-T1_GE3-DGProizvajalec
Vishay Siliconix
SQJ158EP-T1_GE3
Opis
MOSFET N-CH 60V 23A PPAK SO-8Zaloga
680300 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
N-Channel 60 V 23A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Količina
Minimun 1
Minimun 1
Nakup in povpraševanje
Garancija & Vrnitve
Kako naročiti
Dostava in Pošiljanje
Zagotavljanje kakovosti
365 - Garancija kakovosti na dan - Vsak del je popolnoma zavarovan.
90-dnevno vračilo ali zamenjava - Napake na delih? Brez skrbi.
Omejena razpoložljivost, naroči zdaj - Dobite zanesljive dele brez skrbi.
Globalna dostava in varno pakiranje
Omgrodna dostava v 3-5 poslovnih dneh
100% ESD antistatično embalažo
Sledenje v realnem času za vsako naročilo
Zagotavljamo varno in prilagodljivo plačilo
Kreditna kartica, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Tovorni prevod (T/T) in več
Vsa plačila so šifrirana zaradi varnosti
SQJ158EP-T1_GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
Tranzistorji, FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Pakiranje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
23A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
33mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1100 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
45W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PowerPAK® SO-8
Paket / Primer
PowerPAK® SO-8
Osnovna številka izdelka
SQJ158
Tehnični list in dokumenti
Tehnični listi
Prenesi SQJ158EP-T1_GE3 Specifikacija izdelka (PDF)
HTML tehnični list
SQJ158EP-T1_GE3-DG
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Dodatne informacije
Druga imena
SQJ158EP-T1_GE3CT
SQJ158EP-T1_GE3TR
SQJ158EP-T1_GE3DKR
Standardni paket
3,000
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
Die Verpackung macht einen hochwertigen Eindruck und gewährleistet maximalen Schutz während des Transports. Sehr zufrieden.
Dec 02, 2025
Als Startup-Firma ist die Kosteneffektivität bei DiGi Electronics unschlagbar. Die Webseite ist benutzerfreundlich und erleichtert die Navigation.
Dec 02, 2025
Their secure packaging reflects their commitment to quality and customer satisfaction.
Dec 02, 2025
Fast and courteous after-sales responses make my experience seamless.
Dec 02, 2025
Support team follows up diligently to ensure all issues are resolved.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Pogosto zastavljena vprašanja (FAQ)
Kakšne so glavne značilnosti MOSFET-a Vishay SQJ158EP-T1_Ge3?
Vishay SQJ158EP-T1_Ge3 je N-kanalni močnostni MOSFET z največjo napetostjo odtoka do vira 60V, neprekinjenim odtočnim tokom 23A ter nizkim Rds On 33 mOhma. Opremljen je s površinsko montažno embalažo PowerPAK SO-8 in je primeren za visokonapetostne aplikacije.
Je MOSFET Vishay SQJ158EP-T1_Ge3 primeren za avtomobilske aplikacije?
Da, ta MOSFET je kvalificiran po standardih AEC-Q101, kar zagotavlja zanesljivost v avtomobilskih okoljih. Njegove robustne lastnosti in temperaturni razpon od -55°C do 175°C zagotavljajo vzdržljivost v elektroniki vozil.
Kaj je največja delovna temperatura za MOSFET Vishay SQJ158EP-T1_Ge3?
MOSFET deluje v temperaturnem razponu od -55°C do 175°C, kar zagotavlja zanesljivo delovanje v različnih toplotnih pogojih, ki jih običajno najdemo v močnovoltnih in avtomobilskih sistemih.
Kako vpliva napetost na vodenje na delovanje tega MOSFET-a?
MOSFET je mogoče učinkovito poganjati z napetostjo na vratih (Vgs) med 4,5V in 10V, kar pripomore k nizkemu Rds On in optimalni prepustnosti, zaradi česar je primeren za različne pogonske vezje.
Kaj je vključeno ob nakupu MOSFET-a Vishay SQJ158EP-T1_Ge3?
MOSFET je dobavljen v embalaži Tape & Reel (TR), kar zagotavlja enostavno avtomatizacijo pri montaži. Gre za nov, originalen izdelek, ki je skladni z RoHS predpisi in je na zalogi za hitro dobavo.
Zagotavljanje kakovosti (QC)
DiGi zagotavlja kakovost in pristnost vsake elektronske sestavine s profesionalnimi pregledi in vzorčenjem serij, kar zagotavlja zanesljiv vir, stabilno delovanje in skladnost s tehničnimi specifikacijami ter pomaga strankam zmanjšati tveganje v verigi dobave in samozavestno uporabljati sestavine v proizvodnji.
SQJ158EP-T1_GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SQJ158EP-T1_GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
